| 品牌：英飞凌 | 型号：FF150R12RT4 | 批号：22+ |
| 封装：34MM | 包装：盒装 | 最小包装量：10 |
| 工作频率：20 | 最大工作电压：1200V | 最大工作电流：75-150A |
| 最大功率：2000 | 增益：1 | 阻抗：2 |
| 数量：10 | 重量：200 | 制造商：INFINEON |
规格
| 产品属性 | 属性值 | 搜索类似 |
|---|---|---|
| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | IGBT 模块 | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 产品: | IGBT Silicon Modules | |
| 集电极—发射极电压 VCEO: | 1200 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | 2 V | |
| 栅极—射极漏泄电流: | 100 nA | |
| Pd-功率耗散: | 555 W | |
| 小工作温度: | - 40 C | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Tray | |
| 技术: | Si | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 栅极/发射极电压: | 20 V | |
| 产品类型: | IGBT Modules | |
| 工厂包装数量: | 10 | |
| 子类别: | IGBTs | |
| 零件号别名: | FF100R12RT4HOSA1 SP000624754 FF100R12RT4HOSA1 | |
| 单位重量: | 160 g |
